Transistor Mosfet IRF520, Canal N, 9.2A, 100V, TO-220
Información Básica:
Polaridad : Canal N
Material: metal-óxido-semiconductor
Voltaje drenaje-fuente Vds: 100 V
Voltaje Vgs de Medición Rds(on): 20 V
Voltaje Umbral Vgs: 10 V
Intensidad drenador continua Id: 9.2A
Disipación de Potencia Pd: 60 W
Resistencia de activación Rds(on): 0.27 Ohm
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220
Número de Pines: 3
¿Qué Se Entrega?
1 x Transistor Mosfet IRF520, Canal N, 9.2A, 100V, TO-220